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マイクロンメモリ ジャパン合同会社 広島工場(Fab15)

印刷用ページを表示する掲載日2019年11月8日

最先端メモリ製品の開発,設計および生産

 

 

事業所所在地

〒739-0153 広島県東広島市吉川工業団地7番10号

電話番号

電話:(082)429-3333  ファクス:(082)429-2380

本社所在地

〒108-0075 東京都港区港南一丁目2番70号

ホームページ  URL

http://jp.micron.com/

 

 

製品・技術

DRAM(ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー)(オンリーワン,ナンバーワン)

 

 

DRAM

DRAMチップ

製品・技術の特徴

DRAMは,キャパシタに電荷を蓄えることによって,一時的にデータを保持する半導体メモリです。他の半導体メモリに比べて,高速かつ大容量化しやすい特長を有することから,DRAMは今日,PCやサーバ,モバイル機器,デジタル家電などのメインメモリとして組み込まれており,その性能が情報通信・エレクトロニクス機器のスペックや機能性を大きく左右すると言われています。

開発のきっかけ

さまざまな情報がネットワークを通じて結ばれるようになり,PCやサーバなど情報処理機器の大容量化・高速化が進む中で,DRAMが果たす役割がますます大きくなっています。また,近年ではデジタル家電や携帯電話,スマートフォンにおいても高機能化が進んでおり,大容量のデータを高速に処理するだけでなく,低消費電力で環境にも優しいDRAMの需要が急速に高まっています。このようなデジタル情報化社会の要求に応えるため,マイクロンメモリ ジャパンは,エレクトロニクスの進化に貢献する最先端/高機能/高性能DRAMを開発・供給しています。さらに,環境に配慮した高度な省エネ半導体製品の開発,生産を通じ,社会全体の省エネ,地球温暖化防止に向けて積極的に取り組んでいます。

開発・製品化における
苦労と努力

チップコストを抑制し,かつ顧客のニーズを満たす高機能,高性能なDRAMを開発することがDRAMメーカーには求められます。また,海外の競合他社に先駆けいち早く製品開発を行うスピードも必要です。 これらを実現するため,マイクロンメモリ ジャパンは,最先端・高性能DRAMの研究開発にリソースを集中しています。例えば,配線プロセスの微細化やメモリセルのレイアウト変更,次世代メモリ,3次元スタックパッケージ技術,さらには低消費電力と高性能を兼ね備えたDRAMなど,世界最先端クラスの技術開発に取り組んでいます。また,広島工場(Fab15)では量産ラインを使ったプロセス開発を行い,スピーディな量産化と生産性向上を実現しています。

製品・技術の主な取引先

国内外のエレクトロニクス機器メーカー

特記事項

 

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